设备用途 本设备是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属，非金属及其它化合物进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、气氛还原烧结、CVD实验、真空退火﹑熔化﹑物质成分测量分析而研制的理想设备。 应用领域 半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业领域。 技术参数 设备

设备用途 本设备是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属，非金属及其它化合物进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、气氛还原烧结、CVD实验、真空退火﹑熔化﹑物质成分测量分析而研制的理想设备。 应用领域 半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业领域。 技术参数 设备

设备用途 本设备是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属，非金属及其它化合物进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、气氛还原烧结、CVD实验、真空退火﹑熔化﹑物质成分测量分析而研制的理想设备。 应用领域 半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业领域。 技术参数 设备

设备用途 本设备是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属，非金属及其它化合物进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、气氛还原烧结、CVD实验、真空退火﹑熔化﹑物质成分测量分析而研制的理想设备。 应用领域 半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业领域。 技术参数 设备

设备用途 本设备是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属，非金属及其它化合物进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、气氛还原烧结、CVD实验、真空退火﹑熔化﹑物质成分测量分析而研制的理想设备。 应用领域 半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业领域。 技术参数 设备

设备用途 本设备是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属，非金属及其它化合物进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、气氛还原烧结、CVD实验、真空退火﹑熔化﹑物质成分测量分析而研制的理想设备。 应用领域 半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业领域。 技术参数 设备

设备用途 本设备是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属，非金属及其它化合物进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、气氛还原烧结、CVD实验、真空退火﹑熔化﹑物质成分测量分析而研制的理想设备。 应用领域 半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业领域。 技术参数 设备

技术参数 设备名称：1200度三温区管式炉 设备型号：MXG1200-200III 炉管材质：石英管 炉管尺寸：外径200*内径190*长度1500*壁厚5mm 加热区尺寸：300+300+300 恒温区尺寸：120+120+120，若每个温区温度设置*，则恒温区为600mm Z高温度：1200度（1小时） 工作温度：≤1100度（连续） 工作电源：三相 380V 50/60H

设备用途 本设备是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属，非金属及其它化合物进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、气氛还原烧结、CVD实验、真空退火﹑熔化﹑物质成分测量分析而研制的理想设备。 应用领域 半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业领域。 技术参数 设备

设备用途 本设备是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属，非金属及其它化合物进行真空烧结、气氛保护烧结、真空镀膜、气氛还原烧结、CVD实验、真空退火﹑熔化﹑物质成分测量分析而研制的理想设备。 应用领域 半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业领域。 技术参数 设备